Prof. Chatterjee ist seit 2016 an der JLU Gießen am I. Physikalischen Institut tätig zunächst gefördert durch das Heisenbergprogramm der Deutschen Forschungsgemeinschaft.  Seine Forschungsinteressen reichen von der Untersuchung fundamentaler Anregungen in Festkörpern auf ultrakurzen Zeitskalen bis hin zur Entwicklung von Halbleitern für Anwendungen wie rote mLEDs oder auch Emitter und Detektoren im Mittelinfraroten (2-12µm) oder auch multifunktionale Beschichtungen.
Seine Expertise umfasst neben der zeitaufgelösten Spektroskopie und Mikroskopie vom optischen bis in den THz Spektralbereich auch die Materialherstellung mittels Molekularstahlepitaxie, Atomlagenabscheidung und Sputterdeposition. 
Seine angewandte Forschung wurde 2024 mit einer LOEWE Transfer-Professur für Hochleistungsmaterialien (High-Performance Materials – HiMat) ausgezeichnet. 
Als Nachwuchswissenschaftler habilitierte er sich 2009 an der Philipps-Universität Marburg in Experimentalphysik. Er promovierte 2003 in Optical Sciences an der University of Arizona nach seinem Physikstudium an der Universität Karlsruhe, dass er im Jahr 2000 mit dem Diplom beendete.